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NP90N04VLG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
8
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
6
4
2
V GS = 4.5 V
10 V
I D = 45 A
10000
1000
V GS = 0 V
C iss
C oss
C rss
0
Pulsed
100
f = 1 MHz
-75
-25
25
75
125
175
225
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
50
10
40
V DD = 32 V
20 V
8
100
t f
t d(off)
30
8V
6
10
t r
t d(on)
20
V GS
4
1
V DD = 20 V
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
10
0
V DS
I D = 90 A
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
10 V
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
10
1
0.1
V GS = 0 V
0.01
0.001
Pulsed
10
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D19793EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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